STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Код товара RS: 920-6639Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB6NK90ZT4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5.8A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

900V

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

46.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

140W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

5.8A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

900V

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

2Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

46.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

140W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics