Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.8A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
2Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
140W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.35 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
5.8A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
900V
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
2Ом
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
140W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.35 mm
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
