STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB60NF06LT4

Код товара RS: 795-6944Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB60NF06LT4
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

14mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

15 V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

35nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 330,15

тг 666,03 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB60NF06LT4
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 330,15
10тг 6 660,30
15тг 9 990,45
20тг 13 320,60
25тг 16 650,75
30тг 19 980,90
35тг 23 311,05
40тг 26 641,20
45тг 29 971,35
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

тг 3 330,15

тг 666,03 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB60NF06LT4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 330,15
10тг 6 660,30
15тг 9 990,45
20тг 13 320,60
25тг 16 650,75
30тг 19 980,90
35тг 23 311,05
40тг 26 641,20
45тг 29 971,35
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 666,03тг 3 330,15
50 - 495тг 630,27тг 3 151,35
500 - 745тг 598,98тг 2 994,90
750 - 995тг 572,16тг 2 860,80
1000+тг 196,68тг 983,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

60A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

14mΩ

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

15 V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

35nC

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics