Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.35мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
35 нКл при 4,5 В
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.35мм
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
35 нКл при 4,5 В
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
