STMicroelectronics STB60NF06LT4 MOSFET

Код товара RS: 165-6855Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB60NF06LT4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.35мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 4,5 В

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

4.6мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

STMicroelectronics STB60NF06LT4 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STB60NF06LT4 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.35мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 4,5 В

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

4.6мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics