STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V, 3-Pin D2PAK STB57N65M5

Код товара RS: 783-2977Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB57N65M5
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.6мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 666,68

тг 4 666,68 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V, 3-Pin D2PAK STB57N65M5
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 666,68
2тг 9 333,36
3тг 14 000,04
4тг 18 666,72
5тг 23 333,40
6тг 28 000,08
7тг 32 666,76
8тг 37 333,44
9тг 42 000,12
10тг 46 666,80
11тг 51 333,48
12тг 56 000,16
13тг 60 666,84
14тг 65 333,52
15тг 70 000,20

тг 4 666,68

тг 4 666,68 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 42 A, 710 V, 3-Pin D2PAK STB57N65M5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 4 666,68
2тг 9 333,36
3тг 14 000,04
4тг 18 666,72
5тг 23 333,40
6тг 28 000,08
7тг 32 666,76
8тг 37 333,44
9тг 42 000,12
10тг 46 666,80
11тг 51 333,48
12тг 56 000,16
13тг 60 666,84
14тг 65 333,52
15тг 70 000,20

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 49тг 4 666,68
50 - 249тг 3 674,34
250 - 499тг 3 294,39
500 - 999тг 3 075,36
1000+тг 2 820,57

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.6мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics