N-Channel MOSFET Transistor, 53 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB45N30M5

Код товара RS: 192-4651Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB45N30M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 А

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Ширина

9.35мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

95 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.37мм

Прямое напряжение диода

1.5V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 53 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB45N30M5

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 53 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB45N30M5
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

53 А

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Ширина

9.35мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

95 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.37мм

Прямое напряжение диода

1.5V

Страна происхождения

China