STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Код товара RS: 188-8283Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB43N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

7A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

630mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

15nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

7A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

630mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

15nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

70W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101