STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB42N65M5

Код товара RS: 761-0402Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB42N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

79 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл при 10 В

Ширина

10.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.6мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 169,23

тг 3 169,23 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB42N65M5
Select packaging type

тг 3 169,23

тг 3 169,23 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB42N65M5

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 3 169,23
10 - 49тг 2 641,77
50 - 99тг 2 293,11
100 - 249тг 2 065,14
250+тг 1 895,28

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

79 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл при 10 В

Ширина

10.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

4.6мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics