STMicroelectronics STB38N65M5 MOSFET

Код товара RS: 783-3059Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB38N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-263

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

95mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

71nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 298,86

тг 3 298,86 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STB38N65M5 MOSFET
Select packaging type

тг 3 298,86

тг 3 298,86 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STB38N65M5 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицы
1 - 49тг 3 298,86
50 - 249тг 2 704,35
250 - 499тг 2 243,94
500 - 999тг 1 998,09
1000+тг 1 783,53

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

710V

Корпус

TO-263

Серия

MDmesh M5

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

95mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

71nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics