STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

Код товара RS: 202-5495Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB33N60DM6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

25A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-263

Серия

ST

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.115Ом

Номер канала

Опускание

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

35nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.85мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

25A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

600V

Корпус

TO-263

Серия

ST

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.115Ом

Номер канала

Опускание

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

35nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

190W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.6 mm

Материал каски/сварочной маски

15.85мм

Автомобильный стандарт

Нет