SiC N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB33N60DM6
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
ST
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
0,115 O
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
4.75V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Серия
ST
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
0,115 O
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
4.75V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC