STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB30NF10T4

Код товара RS: 687-5194Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB30NF10T4
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

115W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

40nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 279,70

тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB30NF10T4
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 279,70
10тг 4 559,40
15тг 6 839,10
20тг 9 118,80
25тг 7 934,25
30тг 9 521,10
35тг 11 107,95
40тг 12 694,80
45тг 14 281,65
50тг 15 421,50
55тг 16 963,65
60тг 18 505,80
65тг 20 047,95
70тг 21 590,10
75тг 23 132,25

тг 2 279,70

тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB30NF10T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 279,70
10тг 4 559,40
15тг 6 839,10
20тг 9 118,80
25тг 7 934,25
30тг 9 521,10
35тг 11 107,95
40тг 12 694,80
45тг 14 281,65
50тг 15 421,50
55тг 16 963,65
60тг 18 505,80
65тг 20 047,95
70тг 21 590,10
75тг 23 132,25

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 455,94тг 2 279,70
25 - 45тг 317,37тг 1 586,85
50 - 120тг 308,43тг 1 542,15
125 - 245тг 268,20тг 1 341,00
250+тг 263,73тг 1 318,65
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

35A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

115W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

40nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать