Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
35A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Серия
STripFET II
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
115W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
40nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.35 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 279,70
тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 279,70
тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 455,94 | тг 2 279,70 |
| 25 - 45 | тг 317,37 | тг 1 586,85 |
| 50 - 120 | тг 308,43 | тг 1 542,15 |
| 125 - 245 | тг 268,20 | тг 1 341,00 |
| 250+ | тг 263,73 | тг 1 318,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
35A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
100V
Серия
STripFET II
Корпус
TO-263
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
45mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Прямое напряжение (Vf)
1.3V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
115W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
40nC
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
9.35 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.4мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.