STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB30NF10T4

Код товара RS: 687-5194Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB30NF10T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.6мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 279,70

тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB30NF10T4
Select packaging type

тг 2 279,70

тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB30NF10T4
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 455,94тг 2 279,70
25 - 45тг 317,37тг 1 586,85
50 - 120тг 308,43тг 1 542,15
125 - 245тг 268,20тг 1 341,00
250+тг 263,73тг 1 318,65
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.6мм

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать