Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
115 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 10 В
Ширина
9.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.6мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 279,70
тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 279,70
тг 455,94 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 455,94 | тг 2 279,70 |
25 - 45 | тг 317,37 | тг 1 586,85 |
50 - 120 | тг 308,43 | тг 1 542,15 |
125 - 245 | тг 268,20 | тг 1 341,00 |
250+ | тг 263,73 | тг 1 318,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
115 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 10 В
Ширина
9.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.6мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.