STMicroelectronics STB30NF10T4 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.35мм

Длина

10.4мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.6мм

Страна происхождения

Malaysia