Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
17A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-263
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
190mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
10.4 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
17A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Корпус
TO-263
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
190mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
125W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
30 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
46nC
Прямое напряжение (Vf)
1.6V
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
10.4 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
