N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB22N60M6

Код товара RS: 192-4650Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB22N60M6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

230 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.25V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.6V

Высота

4.37мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB22N60M6

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB22N60M6
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

230 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.25V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.6V

Высота

4.37мм

Страна происхождения

China