STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2

Код товара RS: 792-5707Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB18N60M2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

13A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Серия

MDmesh M2

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

280mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

21.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 341,65

тг 1 068,33 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2
Select packaging type

тг 5 341,65

тг 1 068,33 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 068,33тг 5 341,65
25 - 95тг 862,71тг 4 313,55
100 - 245тг 701,79тг 3 508,95
250 - 495тг 688,38тг 3 441,90
500+тг 603,45тг 3 017,25

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

13A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Серия

MDmesh M2

Корпус

TO-263

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

280mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

21.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

110W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Прямое напряжение (Vf)

1.6V

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics