N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB18N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
21,5 нКл при 10 В
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 5 341,65
тг 1 068,33 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 5 341,65
тг 1 068,33 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 1 068,33 | тг 5 341,65 |
| 25 - 95 | тг 862,71 | тг 4 313,55 |
| 100 - 245 | тг 701,79 | тг 3 508,95 |
| 250 - 495 | тг 688,38 | тг 3 441,90 |
| 500+ | тг 603,45 | тг 3 017,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
21,5 нКл при 10 В
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).