Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Длина
10.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,3 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
10.4мм
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Длина
10.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,3 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
10.4мм
Высота
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре