Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
120A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
75V
Корпус
TO-263
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.7mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
330W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
85nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
10.4 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
120A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
75V
Корпус
TO-263
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.7mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
330W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
85nC
Прямое напряжение (Vf)
1.5V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
10.4 mm
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Длина
10.75мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
