STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB160N75F3

Код товара RS: 760-9828Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB160N75F3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

75V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.7mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

330W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

85nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFET
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 1 689,66Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 703,07

тг 1 703,07 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB160N75F3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 703,07
2тг 3 406,14
3тг 5 109,21
4тг 6 812,28
5тг 8 515,35
6тг 10 218,42
7тг 11 921,49
8тг 13 624,56
9тг 15 327,63
10тг 17 030,70
11тг 18 733,77
12тг 20 436,84
13тг 22 139,91
14тг 23 842,98
15тг 25 546,05

тг 1 703,07

тг 1 703,07 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB160N75F3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 703,07
2тг 3 406,14
3тг 5 109,21
4тг 6 812,28
5тг 8 515,35
6тг 10 218,42
7тг 11 921,49
8тг 13 624,56
9тг 15 327,63
10тг 17 030,70
11тг 18 733,77
12тг 20 436,84
13тг 22 139,91
14тг 23 842,98
15тг 25 546,05

КоличествоЦена единицы
1 - 49тг 1 703,07
50 - 149тг 1 367,82
150 - 299тг 1 211,37
300 - 599тг 1 121,97
600+тг 1 005,75
Вас может заинтересовать
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFET
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 1 689,66Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

75V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

3.7mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

330W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

85nC

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

10.4 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFET
Infineon IPB020NE7N3GATMA1 MOSFETБренд: Infineon
тг 1 689,66Each (In a Pack of 5) (ex VAT)