Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
10.4мм
Длина
10.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
85 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.6мм
Информация о товаре
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
STripFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
10.4мм
Длина
10.75мм
Типичный заряд затвора при Vgs
85 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.6мм
Информация о товаре
