STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB140NF75T4

Код товара RS: 687-5096Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB140NF75T4
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 1 966,80

тг 983,40 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB140NF75T4
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 966,80
4тг 3 933,60
6тг 5 900,40
8тг 7 867,20
10тг 8 224,80
12тг 9 869,76
14тг 11 514,72
16тг 13 159,68
18тг 14 804,64
20тг 16 181,40
22тг 17 799,54
24тг 19 417,68
26тг 21 035,82
28тг 22 653,96
30тг 24 272,10

тг 1 966,80

тг 983,40 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET F3 N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB140NF75T4

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 966,80
4тг 3 933,60
6тг 5 900,40
8тг 7 867,20
10тг 8 224,80
12тг 9 869,76
14тг 11 514,72
16тг 13 159,68
18тг 14 804,64
20тг 16 181,40
22тг 17 799,54
24тг 19 417,68
26тг 21 035,82
28тг 22 653,96
30тг 24 272,10

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 983,40тг 1 966,80
10 - 18тг 822,48тг 1 644,96
20 - 48тг 809,07тг 1 618,14
50 - 98тг 791,19тг 1 582,38
100+тг 661,56тг 1 323,12

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Серия

STripFET F3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics