STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Код товара RS: 188-8281Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB12NM50T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

500V

Корпус

TO-263

Серия

STP12NM50

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

350mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-65°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

160W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

28nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263

P.O.A.

STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

12A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

500V

Корпус

TO-263

Серия

STP12NM50

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

350mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-65°C

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

160W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

28nC

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

10.4мм

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

9.35 mm

Автомобильный стандарт

Нет