STMicroelectronics STB120NF10T4 MOSFET

Код товара RS: 687-5065Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB120NF10T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

10.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

312W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

172nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Infineon IRFS4310ZPBF MOSFET
тг 1 618,14Each (ex VAT)
Infineon IRFS4321PBF MOSFET
тг 1 814,82Each (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 306,52

тг 1 153,26 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STB120NF10T4 MOSFET
Select packaging type

тг 2 306,52

тг 1 153,26 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STB120NF10T4 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 153,26тг 2 306,52
10 - 18тг 965,52тг 1 931,04
20 - 48тг 943,17тг 1 886,34
50 - 98тг 925,29тг 1 850,58
100+тг 826,95тг 1 653,90
Вас может заинтересовать
Infineon IRFS4310ZPBF MOSFET
тг 1 618,14Each (ex VAT)
Infineon IRFS4321PBF MOSFET
тг 1 814,82Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

120A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

100V

Корпус

TO-263

Серия

STripFET II

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

10.5mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

312W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

20 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

172nC

Прямое напряжение (Vf)

1.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.6мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Infineon IRFS4310ZPBF MOSFET
тг 1 618,14Each (ex VAT)
Infineon IRFS4321PBF MOSFET
тг 1 814,82Each (ex VAT)