STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Код товара RS: 188-8280Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB11NM80T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор MDmesh

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

11A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

800V

Корпус

TO-263

Серия

STB11NM80

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.4Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±30 V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

43.6nC

Прямое напряжение (Vf)

0.86V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

P.O.A.

STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор MDmesh

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

11A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

800V

Корпус

TO-263

Серия

STB11NM80

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.4Ом

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±30 V

Минимальная рабочая температура

-65°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

43.6nC

Прямое напряжение (Vf)

0.86V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

9.35 mm

Материал каски/сварочной маски

4.37мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет