STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7

Код товара RS: 792-5697Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STB100N10F7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

61 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 7 420,20

тг 1 484,04 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 420,20
10тг 14 840,40
15тг 22 260,60
20тг 29 680,80
25тг 33 748,50
30тг 40 498,20
35тг 47 247,90
40тг 53 997,60
45тг 60 747,30
50тг 67 497,00
55тг 74 246,70
60тг 80 996,40
65тг 87 746,10
70тг 94 495,80
75тг 101 245,50

тг 7 420,20

тг 1 484,04 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 420,20
10тг 14 840,40
15тг 22 260,60
20тг 29 680,80
25тг 33 748,50
30тг 40 498,20
35тг 47 247,90
40тг 53 997,60
45тг 60 747,30
50тг 67 497,00
55тг 74 246,70
60тг 80 996,40
65тг 87 746,10
70тг 94 495,80
75тг 101 245,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 484,04тг 7 420,20
25 - 95тг 1 349,94тг 6 749,70
100 - 245тг 1 171,14тг 5 855,70
250 - 495тг 987,87тг 4 939,35
500+тг 889,53тг 4 447,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

STripFET H7

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

61 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics