STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG

Код товара RS: 152-113Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SH63N65DM6AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

53A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

ACEPACK SMIT

Серия

MDmesh DM6

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

64mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

8nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

424W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±25 V

Прямое напряжение (Vf)

1.55V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

AQG 324

Автомобильный стандарт

AEC

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

53A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

ACEPACK SMIT

Серия

MDmesh DM6

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

64mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

8nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

424W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

±25 V

Прямое напряжение (Vf)

1.55V

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

AQG 324

Автомобильный стандарт

AEC

Страна происхождения

China