STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

Brand

Тип канала

P-канальный

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

6A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

700V

Серия

G-HEMT

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

2

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

350mΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

1.5nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

47W

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

6.2мм

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Страна происхождения

China