Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
P-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
6A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
700V
Корпус
TO-252
Серия
G-HEMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
2
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
350mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
1.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
47W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.2мм
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
P-канальный
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
6A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
700V
Корпус
TO-252
Серия
G-HEMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
2
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
350mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
1.5nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
47W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.2мм
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Страна происхождения
China
