STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 29 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT080R70ILB

Brand

Тип продукции

Транзистор

Тип канала

P-канальный

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

29A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

700V

Корпус

PowerFLAT

Серия

G-HEMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

80mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

6.2nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

188W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-6 to 7 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

8.1 mm

Длина

8.1мм

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Страна происхождения

China