Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Рабочая частота
230 MHz
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
125V
Формат выходного гнезда
150W
Корпус
M174
Серия
SD2931
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Ширина
24.89 mm
Материал каски/сварочной маски
4.11мм
Длина
26.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Типичный коэффициент усиления по мощности
14dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Рабочая частота
230 MHz
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
125V
Формат выходного гнезда
150W
Корпус
M174
Серия
SD2931
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
4
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
65°C
Максимальная рабочая температура
200°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Ширина
24.89 mm
Материал каски/сварочной маски
4.11мм
Длина
26.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Типичный коэффициент усиления по мощности
14dB
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
