STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

Код товара RS: 213-3943Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTWA90N65G2V-4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

119A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

Hip-247

Серия

SCTWA90N65G2V-4

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

24mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

656W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

157nC

Прямое напряжение (Vf)

2.5V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

21.1 mm

Материал каски/сварочной маски

5.1мм

Длина

15.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

119A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

Hip-247

Серия

SCTWA90N65G2V-4

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

24mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

656W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

157nC

Прямое напряжение (Vf)

2.5V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

21.1 mm

Материал каски/сварочной маски

5.1мм

Длина

15.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет