STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

Код товара RS: 233-0475PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTWA70N120G2V-4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

91A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Серия

SCTWA70N120G2V-4

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

30mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

547W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

150nC

Прямое напряжение (Vf)

2.7V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

15.6 mm

Материал каски/сварочной маски

5мм

Длина

34.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

91A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Серия

SCTWA70N120G2V-4

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

30mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

547W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

150nC

Прямое напряжение (Vf)

2.7V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

15.6 mm

Материал каски/сварочной маски

5мм

Длина

34.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет