STMicroelectronics SCTW Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Серия
SCTW
Корпус
Hip-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
52mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
3V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
22nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
388W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
21.1мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
Тип N
Тип продукции
МОП-транзистор
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
60A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Серия
SCTW
Корпус
Hip-247
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
52mΩ
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение (Vf)
3V
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
22nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
388W
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
15.9мм
Материал каски/сварочной маски
21.1мм
Автомобильный стандарт
Нет