SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Код товара RS: 201-0887Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTW90N65G2V
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

119 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

HiP247

Серия

SCTW90

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.024 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Select packaging type

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

119 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

HiP247

Серия

SCTW90

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.024 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1