STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCTW35N65G2VAG

Код товара RS: 202-5487Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTW35N65G2VAG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCT

Тип корпуса

HIP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,055 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCTW35N65G2VAG

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCTW35N65G2VAG

Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCT

Тип корпуса

HIP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,055 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC