SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

Код товара RS: 202-5488Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTW35N65G2VAG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCT

Тип корпуса

HiP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,055 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Select packaging type

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCT

Тип корпуса

HiP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,055 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC