STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Код товара RS: 201-0860PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTW35N65G2V
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

Hip-247

Серия

SCTW35

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

240W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

73nC

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

14.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

Hip-247

Серия

SCTW35

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

45mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

240W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

73nC

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

15.75мм

Длина

14.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет