STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin HIP247 3pins SCTW100N65G2AG

Код товара RS: 202-5485Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTW100N65G2AG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

0,105 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin HIP247 3pins SCTW100N65G2AG

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin HIP247 3pins SCTW100N65G2AG

Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

H2PAK-7

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

0,105 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1