STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK

Код товара RS: 202-5485Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTW100N65G2AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

100A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.105Ом

Номер канала

Опускание

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

420W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

162nC

Прямое напряжение (Vf)

2.8V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

100A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.105Ом

Номер канала

Опускание

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

420W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

162nC

Прямое напряжение (Vf)

2.8V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет