STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7

Код товара RS: 201-0869Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTH90N65G2V-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

116 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCTH90

Тип корпуса

H²PAK-7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

0.024 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

116 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCTH90

Тип корпуса

H²PAK-7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

0.024 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC