STMicroelectronics SCTH90 Type N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
116A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
SCTH90
Корпус
H2PAK
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
24mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
157nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
484W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.8 mm
Длина
15.25мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
116A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
650V
Серия
SCTH90
Корпус
H2PAK
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
24mΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
157nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
484W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
22 V
Максимальная рабочая температура
175°C
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4.8 mm
Длина
15.25мм
Автомобильный стандарт
Нет