STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Код товара RS: 224-9997Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTH35N65G2V-7AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

H2PAK

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

67mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

208W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

14nC

Прямое напряжение (Vf)

3.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.8 mm

Материал каски/сварочной маски

15.25мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 100) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

P.O.A.

Each (On a Reel of 100) (ex VAT)

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

H2PAK

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

67mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

208W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

14nC

Прямое напряжение (Vf)

3.3V

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

4.8 mm

Материал каски/сварочной маски

15.25мм

Длина

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет