SiC N-Channel MOSFET Module, 98 A, 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
98 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
SCT
Тип корпуса
H²PAK-7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
0.02 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
98 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
SCT
Тип корпуса
H²PAK-7
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
0.02 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC