STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT50N120

Код товара RS: 202-5479Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT50N120
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

65A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.59Ом

Номер канала

Опускание

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

122nC

Прямое напряжение (Vf)

3.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

318W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Максимальная рабочая температура

200°C

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT50N120
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT50N120

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

65A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Серия

SCT

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

0.59Ом

Номер канала

Опускание

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

122nC

Прямое напряжение (Vf)

3.5V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

318W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Максимальная рабочая температура

200°C

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

34.95мм

Автомобильный стандарт

Нет