SiC N-Channel MOSFET Module, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT50N120

Код товара RS: 202-5478Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT50N120
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

SCT

Тип корпуса

HiP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,59 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT50N120

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT50N120
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

65 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

SCT

Тип корпуса

HiP247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,59 O

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC