STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

Код товара RS: 907-4741Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT30N120
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

100mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

270W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

105nC

Прямое напряжение (Vf)

3.5V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

45A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

Hip-247

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

100mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

270W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

25 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

105nC

Прямое напряжение (Vf)

3.5V

Максимальная рабочая температура

200°C

Ширина

5.15 mm

Материал каски/сварочной маски

20.15мм

Длина

15.75мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics

Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics