STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2

Brand

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

20A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

H2PAK-2

Серия

SiC MOSFET

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

203mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

45nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Длина

15.8мм

Материал каски/сварочной маски

10.4мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет