STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
H2PAK-2
Серия
SiC MOSFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
203mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
45nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.7 mm
Длина
15.8мм
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
20A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
1200V
Корпус
H2PAK-2
Серия
SiC MOSFET
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
203mΩ
Номер канала
Поднятие
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
45nC
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
25 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.7 mm
Длина
15.8мм
Материал каски/сварочной маски
10.4мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет