STMicroelectronics SiC MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H

Код товара RS: 201-4415Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT20N120H
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

SiC MOSFET

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,203 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

239V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics SiC MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

STMicroelectronics SiC MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

SiC MOSFET

Тип корпуса

H2PAK-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0,203 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

239V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC