STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK

Код товара RS: 215-242PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCT070HU120G3AG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

HU3PAK

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

63mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

37nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

23W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

14 mm

Длина

18.58мм

Материал каски/сварочной маски

3.5мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Japan

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

30A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

1200V

Корпус

HU3PAK

Серия

SCT

Тип монтажа

Поверхность

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

63mΩ

Номер канала

Поднятие

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

37nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

23W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

22 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Ширина

14 mm

Длина

18.58мм

Материал каски/сварочной маски

3.5мм

Стандарты/одобрения

RoHS

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Japan